Caractéristiques
Attribut du produit Valeur de l'attribut Recherche similaire
Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : Transistors bipolaires - BJT
RoHS : détails
Style de montage : trou traversant
Colis/caisse : TO-92-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Unique
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 25 V
Tension de base du collecteur VCBO : 80 V
Tension de base de l'émetteur VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 220 mV
Courant maximum du collecteur CC : 4 A
Pd - Dissipation de puissance : 1 W
Gain de bande passante produit fT : 180 MHz
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température maximale de fonctionnement : 200 C
Série : ZTX1049
Emballage : Pack de munitions
Marque : Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu : 4 A
Collecteur CC/Gain de base hfe Min : 300
Gain de courant continu hFE Max : 1 200
Hauteur : 4,01 mm
Longueur : 4,77 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
2000
Sous-catégorie : Transistors
Technologie : Si
Largeur : 2,41 mm
Poids unitaire : 0,016 000 onces